Відділ матеріалів функціональної електроніки



Завідувач відділу – доктор фіз.-мат. наук О.В.Гомоннай.

Cпівробітники відділу – доктори фіз.-мат. наук П.П.Пуга, Ю.М.Ажнюк, кандидати фіз.-мат. наук Д.Б.Гоєр, В.М.Красилинець, В.В.Лопушанський, А.М.Соломон, доктор хім. наук В.М.Головей, кандидат хім. наук І.І.Турок, кандидати техн. наук В.Ю.Лоя, Л.А.Проц, інженери М.М.Биров, К.П.Попович, І.І.Чичура, М.М.Примак.

Основні зусилля співробітників відділу зосереджено на до­слідженні та розробці фізико-хімічних основ і технологій одержання перспективних для використання у пристроях функціональної елект­роніки макро­скопічних і мезоскопічних кристалів, плівок та склоподібних матеріалів. Одержано високоякісні монокристали парателуриту, леговані різними домішками, монокристали деяких боратних сполук, композитні матеріали з інкорпорованими халькогенідними нанокристалами. Розроблено техно­логічні процеси отримання захисних і просвітлюючих покрить оптичних елементів із монокристалів KDP (KH2PO4), DKDP (KD2PO4), CDA (CsH2AsO4), DCDA (CsD2AsO4).

Встановлено основні закономір­ності впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості модельних фосфідних та халькогенідних напівпровідникових кристалів А3В5 та А2В6, зокрема й нанокристалів у діелектричних матрицях, а також вивчено особливості фізичних процесів, що відбуваються в них під дією високоенергетичного опромінення.